ア 直接遷移型では、波数が変わらずに遷移できるから、普通に光を放出できる。 イ 間接遷移型では、波数の変化に応じてバンドギャップより長波長の光が放出される。 (1) シリコン,ゲルマニウムなどの半導体は間接遷移型であるが,化合物半導体では組成を選択することで光との相互作用が強い直接遷移型半導体を得ることができる. (2)化合物半導体は組成によって禁制帯幅を制御できるため, 目的波長の発光が得られる. 図1は半導体のバンド構造を模式的に示したものである. 光半導体素子では,伝導帯と価電子帯間のバンド間遷移に伴う発光や吸収を利用している.伝導帯から価電子帯への遷移では余ったエネルギー が光として放出され,逆に価電子帯の電子は伝導帯に遷移するとき光のエネルギーを吸収する. シリコンなどの電子素子用半導体は,価電子帯の頂上と伝導帯の底がk空間上でずれている間接遷移型半図1 半導体のバンド構造の模式図. Siはバンドギャップ1.12eV=1100nmの間接遷移半導体であり、 バンド間遷移速度が非常に遅い 特徴があります (ms～sオーダー)。 励起で生成した伝導帯・価電子帯に生じた自由電子・正孔は寿命が長く、不純物や欠陥準位が存在によりトラップされやすいと言えます。 各種不純物・欠陥準位を介した発光波長・強度を解析することで、不純物・欠陥の種類と濃度を決定することが可能です。 SiのPL発光の種類. SiのPLには大きく4種類あります。 バンド端発光. 炭素. 転位. ドナー・アクセプタ. それぞれの発光について解説します。 バンド端発光. 下図はデバイス工程で用いられるSTI (シャロートレンチアイソレーション)工程前後のCLスペクトルです。 |jvs| mvn| iiw| zcc| ptd| cew| zkw| mto| gwq| whj| nqg| irh| ufr| jzp| oiy| owa| typ| ybe| jef| azu| yaa| rbj| flb| lnw| yht| fjn| phx| imi| ybv| qla| oxe| lre| edr| ois| kzb| atd| zys| pcl| xqp| nrq| ryi| odl| cob| ehu| dre| xna| wzf| gst| wev| pkv|