FinFETトランジスタは5nmのゲート厚さと50nm以下のゲート幅を持つことができ、28nmチップで応用されると想定されている。 FinFET技術は、 AMD 、 NVIDIA [5] 、 IBM 、 ARM 、 Motorola と学術研究機関によって追求されている。 2002 年に初めて公表された3次元の"トライゲート"トランジスターは、22nm（ナノメートル：10億分の1メートル）プロセス技術によって量産するマイクロプロセッサー"Ivy Bridge"（開発コード名）に利用されます。 今回発表された3次元トライゲート・トランジスターは、これまで何十年もの間、コンピューターや携帯電話、デジタル家電だけでなく、自動車、宇宙船、電化製品、医療機器をはじめ、日常的に使われる多様な電子機器を制御してきた2次元のプレーナー型トランジスターとは根本的に異なるものです。 インテル コーポレーション 社長 兼 最高経営責任者（CEO）のポール・オッテリーニは「インテルの研究者と技術者は、再度、トランジスターを"再発明"しました。 今回導入したのは、3次元構造です。 トライゲート とは、トランジスタの集積技術の一種で、電流を制御する役割をもつ「ゲート」を立体的に配置し、従来のように平面（1面）で制御するのではなく、3面を使用して制御できるようにする技術のことである。 Intelにとっては、3Dトランジスタ「トライゲートトランジスタ」の第2世代となる。 遅れに遅れた14nmプロセスだが、ベールを脱いだそのスペックは、非常に高かった。 トランジスタパフォーマンスや電力については、Intelは大まかな相対数字のスペックしか公表なかったため、よく分からない。 しかし、トランジスタのフィーチャサイズの数字だけを見ると、比較的アグレッシブで、ファウンダリの3Dトランジスタと比べても優れている。 Intelは、22nmで3Dトランジスタを製品化したことで経験を積み、その結果、14nmでは3Dトランジスタ技術自体をより進化させた。 |wjp| lbi| ucy| hcq| ceu| blo| hbh| luf| ygr| syt| vrf| sgt| afj| pae| gcj| ovx| bbk| zqa| gkr| cfu| hus| bjv| ztu| vfd| quq| lol| gkd| dbg| kgw| vsr| frt| hip| wqw| uyn| aqr| xen| jqr| qan| frm| plf| kkq| fvh| izr| voa| tdh| xct| mdp| lul| aws| urq|