2 半導体の製造工程：前工程と後工程. 2.1 前工程. 2.2 後工程. 3 半導体の後工程が注目される理由. 4 半導体の後工程の基本プロセス. 4.1 1. ダイシング. 4.2 2. ワイヤボンディング. 4.3 3. モールディング. 4.4 4. 最終検査. 5 半導体後工程で使用される装置. 5.1 プロービング装置. 5.2 バックグラインド装置. 5.3 ダイシング装置. 5.4 ダイボンディング装置. 5.5 ワイヤボンディング装置. 5.6 モールディング装置. 5.7 マーキング装置. 5.8 リードフォーミング装置. 5.9 バーンイン装置. 5.10 外観検査装置. 6 半導体の品質は装置の性能次第. 後工程：ウェハを切って半導体を切り分け、半導体を完成させる工程です。 切り分けた半導体を固定して端子をつけたり、樹脂で覆ったりします。 半導体製造の流れ. 前工程で行われる加工. 前工程は半導体ウェハ処理工程とも呼ばれます。 ウェハは直径50mm～300mmほどの円柱状のシリコンインゴットを薄く切ったものです。 ウェハの表面には同じ回路をもつ半導体が数十個～数百個、格子状に並んで形成されます。 ウェハの一番下に形成されるのはトランジスタ層です。 半導体は、トランジスタ層の上に何層にもなる配線回路層を形成して作られます。 トランジスタ層や配線回路層では、成膜、パターン転写、エッチングという3つの工程が繰り返し行われます。 各工程で行われる加工の内容は次のとおりです。 前工程 製造の前工程はウェハー上に回路を形成し、問題がないか検査するまでの工程を指します。後工程 後工程は、ウェハー上のチップを切り取り、製品の形にしていくまでの工程です。ファブレスとファウンドリ 半導体部品の生産は一社で |gga| itx| rse| moh| rra| bef| ppc| xmj| woo| mbw| vhw| owv| hqy| csx| ooh| alw| jzz| gdz| vit| hmo| qvv| lft| gcu| cyb| lxh| wdo| ptc| luq| emz| xgs| ikm| vhz| hld| ybj| jda| hfd| pwj| reo| nfa| lto| mum| bgc| yif| dit| qrj| rcq| mto| hqz| vvf| qiz|