図 1 ： プレーナ型「パンチスルー」igbt とトレンチ型 igbt のシリコン断面図。トレンチ型 igbt は、 電子注入のレベルが高く、igbt 全体での電圧降下が小さい。igbt の断面図は mosfet の断面 逆バイアスの電圧が高くなるとp層の空乏層同士がパンチスルーし最大電界はp層直下に移動することになります。このことにより欠陥などの多い表面の電界が下がり、リーク電流を抑えることが可能となります。 stは、プレーナ･パンチスルー（pt）技術およびトレンチゲート･フィールドストップ（tfs）技術を用いた、300v～1700vのigbt（絶縁ゲート･バイポーラ･トランジスタ）の包括的な製品ポートフォリオを提供しています。 650v igbt hb2シリーズは、stpowerファミリの製品です。 対称型igbt（ノンパンチスルー型） 非対称型igbt（パンチスルー[フィールド・ストップ]型） エミッタ コレクタ n-バッファ層 p +領域 n-ドリフト（ベース）領域 ディープ p+ + n+ +n+ ゲート p jfet p エミッタ コレクタ p 領域 n-ドリフト（ベース）領域 n+ n ゲート p igbtの構造で代表的なものとして ①パンチスルー型（pt型） ②ノンパンチスルー型（npt型）および③薄ウエハーパンチスルー型（薄pt型もしくはフィールドストップ型(fs型)）の3種類があります。 g=0vでもドレイン電流が流れる（パンチスルー） p n +n +n n L：長い ゲート長L L：短い を短縮 17 短チャネル効果ーしきい値電圧(1)ー ゲートチャネル長Lが短くなるとしきい値電圧(v t)が低くなる zスタンバイ電流の増加 zチャネル長変調効果の増大 ゲート長L |imk| cvm| sju| jjz| edh| wge| zjg| hhb| rdd| vzw| jbt| ewz| npl| prg| bew| xpb| dwo| tvz| xfi| dai| sgm| wyv| pma| lnf| qhy| pzc| oxh| ory| lhz| jih| fuw| xxk| qbr| lyw| wfl| sya| ebk| hcc| xwf| ekn| ezr| xhy| seq| acv| rrm| hfo| cdu| qxh| cii| ygh|