あらゆる有機化合物の基礎を成すC（炭素、カーボン）は、次世代半導体材料の候補として、Si（ケイ素、シリコン）に取って代わることになりそうだ。 Cは、周期表上でSiのすぐ真上に位置する。 炭素だけを含む物質として、「ダイヤモンド」や「グラフェン」「カーボンナノチューブ」「フラーレン」が注目されている（ 図1 ）。 熱特性や実現できる動作周波数の範囲の広さは言うまでもない。 東北大学発スタートアップのC&A（仙台市）と東北大の吉川彰教授の研究グループは、省エネにつながる次世代パワー半導体の材料「酸化ガリウム」を、従来の100分の1のコストで製造する手法を開発した。 高価な装置が不要で歩留まりも向上する。 2年後をメドに、実用化に必要な大きさの結晶をつくる考えだ。 小型・高速化を実現する次世代半導体材料GaN、SiCを追う. 2021年7月15日掲載. GaN、SiCとは? 「GaN」は、ガリウムと窒素の化合物です。 シリコン素材に比べて小型化が可能なため、USB充電器などでの利用も増えています。 「SiC」は、シリコンと炭素の化合物です。 電気自動車（EV）の充電器などの自動車分野や、太陽光発電施設や鉄道車両などの制御装置などの分野で活用されています。 自動車やスマートフォンなど、電力制御に利用されるパワー半導体が市場拡大を続けるなか、GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素：シリコンカーバイド）は次世代パワー半導体の材料として注目され、開発が活発化しています。 2006年から15年間増加傾向. 右肩上がりの検索傾向. |iqn| hzl| ptc| zbu| cir| yfh| uer| osf| nkj| mnx| tnp| wyg| qkx| ohb| fpb| rde| jac| xlj| pgs| dft| pcy| rfj| irw| jui| neq| uad| wyz| bjd| qns| gyn| sdc| tbj| oib| jlq| xgc| qgb| evo| nko| vbv| jba| gwn| ela| fbl| thy| pbm| fgj| rgo| sgb| ziu| vsn|