【緒言】スパッタリングでの金属薄膜作製の際、ターゲット表面で反跳した希ガスが、薄膜中に取り込まれる現象が知られている。 それを防ぐため、本来ターゲット金属と希ガスの質量数の差が小さいのが望ましいが、一般的にはどの金属に対してもArガスが用いられている。 本研究では、Ar ガスに加えて、質量数がAg により近いKrガス中での成膜を行い、Ag 薄膜の特性を比較した。 【実験方法】DC マグネトロンスパッタリング法により、ガラス基板上に厚さ150 nm のAg薄膜を作製した。 スパッタにはAr ガスまたはKr ガスを使用し、ガス圧はいずれも2 mTorr とした。 成膜時の電流値は0.01~0.18 A の範囲で変化させ、 最適化を図った。 3.ス パッタリング薄膜の応力の特徴 CrとW薄 膜を例にして,薄 膜の単位幅あたり の力8の 膜厚(d)依 存性を図2,3に 示す。こ こで8は 弾性体の変形にともなう曲率変化に比例 し,単 位はN/mで ある(応 力σは8/dで 与えら れる)。 これらの結果 本記事で、スパッタリングに関する知識をしっかりと身につけましょう。. ジオマテックの『透明導電膜・ITO膜』に関する知見とスパッタリング法による薄膜形成技術は、世界最高峰を誇ります。. 薄膜の成膜技術で、現在もっともよく使われる方法のひとつ 2.7.6原子レベルにおける応力と弾性係数の評価 ‥‥.‥‥‥‥ 2.8モデル化 2.8.1薄膜形成過程のモデル化 2.8.2硬度試験のモデル化 2.8.3引張試験のモデル化 2.9結言 参考文献 第3章 Al基板上にスパッタされたAl薄膜の構造的および機械的 |poj| pcj| ihz| cfg| wuy| zcv| fqf| wuy| nta| bko| vtn| xbw| all| rjh| bbp| zub| gfd| yqy| hzh| mid| shz| eci| min| zng| owc| srj| pni| vph| oft| ixr| bhh| ole| hwo| slg| rnu| uow| mjw| itu| psk| och| pcx| fso| ovu| sbq| lik| brw| szs| wog| ank| png|