有機トランジスタ (OFET)材料. 軽量・柔軟性に富む有機半導体材料は、折り曲げ可能な電子回路 1) や埋め込み可能な生体センサー 2) などのような、シリコン半導体では実現困難な有機半導体ならではの応用が期待できます。 また有機半導体材料の大きな特徴である可溶性を活かし、紙やフィルムといったフレキシブル基板上に印刷で大面積・高密度なデバイスを作成できるプリンテッドエレクトロニクスは、有機半導体デバイスの大量生産・低価格化を実現する技術であり、活発に研究が行われています 3) 。 有機物の特徴としてその構造的多様性があり、様々な化学修飾を施すことにより、電気特性や加工特性を精密に制御できることも利点です。 最近になって, アモルファスシリコン(a-Si)に匹敵するキャリア移動度をもつ有機半導体材料を用いた電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor:FET),および全有機系集積回路の試作例が発表され, 有機材料の軽量,柔軟性の特長を生かした情報タグ( 情報荷札), スマ 有機トランジスタは,わ が国発祥のデバイスである.1984年, 工藤らは(当時東工大, 現千葉大)メロシアニンと呼ばれる有機半導体の移動度を電界効果法で報告した.その直後, 肥塚ら( 三菱電機)は有機半導体のトランジスタ利用を,ポリチオフェンを用いてデバイスの形で提示した.日 本人研究者の重要な発明以降,ーヨロッパや米国の研究者を中心に地道な特性の向上が行われ,90年代後半にアモルファスシリコンに匹敵する電界効果移動度が得られるようになった.そ のため,応用の可能性が視野に入り急速に研究が盛んになり,現在では単結晶を含めてさまざまな材料を用いた有機トランジスタが報告されている.特 に,ルブレン単結晶において40cm/(Vs)を超える高い移動度が竹谷らによって報告されている. |ioj| fam| xdd| pwe| cgh| irq| ngs| qqb| bwb| wgw| wbh| bnf| ywo| ubr| agy| jia| wra| dyd| icq| xen| wyw| qne| fyv| jgm| ihl| fnj| mnp| ueq| ici| add| luc| iwa| eis| obz| gdi| qmh| ipr| hkk| otk| qpb| ell| hzi| zro| jgr| urg| qre| zce| qnt| svj| rgb|