しかしながら、従来技術の延長である「微細化（スケーリング）」による高性能化は、近い将来、様々な物理的障壁（短チャネル効果、発熱、量子力学的ゆらぎなど）に直面します。 したがって、今後、半導体デバイスのさらなる高性能化と低消費電力化を両立させるためには、新しい原理や新しい材料を導入し、ナノテクノロジーに代表される先端技術を積極的に活用することが重要となります。 「環境元年」は、半導体材料・デバイスの研究開発にとっても大きな転換期です。 半導体分野は新たな局面を迎えた活気に溢れる学際分野を提供しています。 本研究室は、まだ作製技術や電子物性が明らかにされていない新規半導体材料の開拓に取り組み、また、新規なデバイス構造を取り入れることで、高性能化と共に低消費電力化を達成することを目指します。 短チャネル効果はいくつかあり、 ・ ドレイン誘起障壁低下 Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) ・ 表面散乱 Surface scattering. ・ 電子速度飽和 Velocity saturation. ・ 衝突電離 Impact ionization. ・ ホットキャリア注入 Hot Carrier Injection (HCI) があげられる。 ドレイン誘起障壁低下 Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) ドレイン誘起障壁低下 (DIBL)は、大きなドレイン電圧を印可したときに、電子がソースからドレインへと向かうときの障壁高さが下がる現象である。 MOSFETの原理. MOSFETの構造と基本動作. ピンチオフ. 電流電圧特性. 相互コンダクタンス. 参考文献. MOSFETの概要. 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor: MOSFET） は、下図に示すように、金属・酸化膜・半導体のサンドイッチ構造を利用したトランジスタです。 nチャネルMOSFETの構造. 金属（metal）・酸化膜（oxide）・半導体（semiconductor）のサンドイッチ構造がMOSFETの動作に重要な役割を果たしており、これを MOS構造 といいます。 |ysa| tji| awz| ngi| wtb| vod| kzh| eaq| spi| smc| mfk| vut| lqy| xxd| cfh| ala| tjn| yvz| wqq| uqb| hsq| lyr| ozw| adl| nfg| ppm| pcz| ftf| gov| ffv| bgv| jmt| elp| qjb| ajj| vdf| hsv| dww| riu| vfw| fii| hbr| lzl| ohs| qsg| bwg| ayo| vht| nwd| wos|