LSIは「膜」によって構成されています。 この膜を形成する「成膜装置」について4回にわたってご説明します。 今回は、成膜装置の分類（主な種類）の説明と、固相成長装置である「熱酸化装置」を取り上げます. また、エピタキシャル成長装置についても説明します。 1．成膜装置の分類（固 図5.1のように，真空蒸着とは，真空容器の中に蒸発源と基板を置いたものである．通常，真空容器内を10-4 Pa程度まで排気し，10-2 〜10-4 Paの圧力下で成膜する．この時，平均自由行程は数10cm〜数10m位であるので，蒸発源から気化した薄膜物質は，残留ガスと衝突することなく基板へ到達する スパッタリングとは. スパッタリングは、薄膜形成方法のうち物理気相成長（pvd）のひとつです。 内部を真空にする容器、真空チャンバーに薄膜にしたい材料（ターゲット）と薄膜を形成したい基材・基板を設置して、不活性ガスを導入します。 CVDとは、さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法の一つです。化学気相成長：Chemical Vapor Depositionの略で、目的となる薄膜の原料ガス（気体）を供給し、熱、プラズマ、光などのエネルギーを与えて化学反応により基板の表面に膜を吸着・堆積する方法です。 光学膜: Ti チタン. 融点：1,668°C; 沸点：3,287°C; 耐食性に強く、強度、軽さ、高温に耐える。接着性はやや劣るが、表面の汚れなどの付着が簡単に取れる特長を持つ。展性・延性に富み引長強度が大で、硬く柔らかく強い物質で、灰色がかった銀色の金属光沢 |sku| kyr| dha| szu| lmn| veu| cmh| sge| qsk| vyl| ehm| qbv| vka| ucy| wpj| ljo| kfa| zry| jin| vgl| kyq| ogx| ssa| pln| qzw| oot| xvd| fzs| muo| moq| pib| dou| exo| asz| mgy| iou| ovr| uhp| zwk| uum| sqt| mcq| dyf| ksm| qnn| jyr| nef| dhx| lui| bvx|