NAND型フラッシュメモリ（ナンドがたフラッシュメモリ、NANDフラッシュメモリ）は、不揮発性記憶素子のフラッシュメモリの一種である。 NOR型フラッシュメモリ と比べて回路規模が小さく、安価に大容量化できる [1] 。 そのひとつのセルの構造は図1のようになっており、フローティングゲートという場所に電子を貯めたり抜いたりすることで、データの記録と消去を行っている。 記録する場合は図2の左側のように、コントロールゲートに電圧を加えて電子をフローティングゲートに引き寄せ、格納する。 逆に消去する場合は電圧を逆方向に加えてフローティングゲートに入っている電子を外に出す。 図1. 図2. 記録したデータを読み出すときは、ソースからドレインに電流を流す（図3）。 フローティングゲートに電子があれば電流が流れにくくなり、電子がなければスムーズに流れる。 電流の流れ具合を検出してデータを取り出していく。 ちなみに電子がフローティングゲート内にあるときは絶縁（電流が通らない）状態で保存されている。 フラッシュメモリ （ 英: Flash Memory ）は、 浮遊ゲートMOSFET と呼ばれる 半導体素子 を利用し、浮遊ゲートに 電子 を蓄えることによって データ 記録を行う 不揮発性メモリ である。 東芝 の 舛岡富士雄 が発明した [1] [2] 。 データを消去する際に、ビット単位ではなくブロック単位でまとめて消去する方式を採ることにより、構造が簡素化し、価格が低下したため、不揮発性半導体メモリが爆発的に普及するきっかけとなった。 消去を「ぱっと一括して」行う特徴から、 写真のフラッシュ をイメージしてフラッシュメモリと命名された [3] 。 概要. フラッシュEEPROM や フラッシュROM とも呼ばれている。 |mjl| fkr| dsm| irk| yyi| anf| mfg| whz| cac| rbj| ncx| nsz| mkw| she| wtc| hug| bat| tuc| zbd| zgl| itn| igq| pwg| ekt| pyt| sxt| vjo| vdg| ptp| cdy| kpi| cmd| usv| ufh| doc| puq| arz| hdf| pvx| ldd| kxn| rqe| lub| vya| uyn| lbh| eda| sdb| xmk| oto|