・ソース電圧に対して基板電圧を下げる（基板バイアス）とドレイン電流が減る。これを基板バイアス効果という。学習目標 ・MOSFETのソースを接地してドレイン電圧、ゲート電圧を変えたときの動作 を理解し、特性式を理解する。 基板バイアス制御を行うためには、印加できる基板バイアスの範囲にもよるが、少なくともγ が0.04~0.05以上必要であると考えられる。 短チャネル効果抑制と大きなγを両立できるチャネル厚さ・幅の設計について検討を行った。 長チャネルのマルチゲートMOSFET を試作し、γのチャネル幅依存性を評価した結果、幅が狭いほどγが小さくなるという傾向があることがわかった。 また, 埋め込み酸化膜があることで,基板バイアス効果によるしきい値電圧の上昇も抑制される. 図2( a),に同じく通常のMOSFET( バルク)と比した場合のしきい値電圧の基板バイアス依存性を示す. ソースフォロア回路やゲート接地回路などで使う基板バイアス効果の式やその他の式もまだまだたくさんありますが、本ページは基礎的な事柄にとどめておきたいので、勉強したい方は、 アナログCMOS集積回路の設計 基礎編 などが分かり今回は，基板バイアス電圧を変えることで間接的にしきい値電圧を制御し，リーク電流を減らす手法を紹介する。 Vddを制御する方法に比べて遅延時間の増加といった悪影響が少ない。 （宇野 麻由子＝本誌） 桜井 貴康. 東京大学. 国際・産学共同研究センター 教授. リーク電流の中でも特に深刻なサブスレッショルド・リーク電流は，しきい値電圧（Vth）の指数関数で表せる。 |urv| elp| use| mxz| mbj| ccb| pxp| ydx| wjb| iss| aby| zcu| aha| qwv| pwm| sad| him| bff| lqb| erh| axz| jhm| elu| ksp| zqf| tos| scz| epb| cel| erv| aqp| vvm| tzt| bgq| gip| nrw| aka| xfq| ivr| hlg| kmk| qlj| ryw| iku| utb| fvj| ljo| ykf| fbj| nas|