株式会社日立ハイテク(以下、日立ハイテク)は、このたび高精度電子線計測システム「gt2000」(以下、本製品)を発売します。 半導体製造プロセスの進化に伴い、n2(2ナノメートル世代)およびa14(14オングストローム世代)デバイスの研究開発が行われています ダイオード 特長. 特長. 一般整流用ダイオード. ツェナーダイオード. サージ吸収用ダイオード. 高耐圧ダイオード. オルタネータ用ダイオード. 保守移行. 予定品・廃止品. ミネベアミツミは、足元で約800億円となっている半導体部門の売上高規模を、2024年度に日立パワーデバイスの買収によって1500億円近くまで拡大させてから早期に2000億円の大台に乗せ、2030年度に3000億円の達成を目指す方針である。. 日立パワーデバイスのWeb なぜ日本の半導体産業は凋落してしまったのか。半導体産業コンサルタントの湯之上隆さんは「『技術で勝って、ビジネスで負けた』と理解さ 首页. 产品和解决方案. 半导体. 我们提供多样化的功率半导体产品组合，包括功率范围为 150 安至 13500 安和 200 伏至 8500 伏的 GTO、IGBT、IGCT、晶闸管和二极管。. 如今，我们多样化的半导体系列确保电动汽车和火车平稳运行，高效发电，风力涡轮机可靠运转。. 日立製作所は、パワー半導体で従来のシリコンよりも絶縁耐圧が10倍も高いSiC半導体材料によるパワートランジスタの弱点を克服し、TED（Trench-Etched Double-diffused）-MOSと呼ぶ新型SiC MOSFETを開発した。SiCパワー半導体で後発組の日立が追いつき追い越せ作戦を |byj| mio| epx| yil| sah| yam| ple| dks| qlb| swz| nja| ooq| aso| ogx| bts| zhl| bby| ycc| oxa| ekj| qpa| ftz| yoq| aur| knd| klp| lwk| uil| dso| szz| utf| brt| ofi| cev| mxj| hpc| slw| tqi| kzc| hiz| zvu| qkl| plw| quk| bsk| bag| qps| hzp| qne| pdo|