Tweet. 米 インテル は、5月4日、「トライゲート」と呼ばれる3次元構造を採用した世界初となるトランジスタの実用化を発表した。 22nmプロセス技術によって量産するマイクロプロセッサ「Ivy Bridge」（開発コード名）で、トライゲート技術を用いたトランジスタを利用する。 2002年に初めて公開された3次元トライゲート・トランジスタは、低電圧・低リーク電流のマイクロプロセッサ動作を可能にした。 22nmプロセス技術による3次元トライゲート・トランジスタは、従来の32nmプロセスによるプレーナー型トランジスタと比較して、低電圧でパフォーマンスが最大37％向上する。 マルチゲート素子 （マルチゲートそし、 英: multigate device 、 multiple gate field effect transistor 、 MuGFET ）とは、 半導体素子 である MOSFET の新たな方式の1つであり、単一のチャンネルに対して複数のゲートを持つ構成のものを指す。. この トランジスタ の 簡単にいうと， 電流を制御するゲートの構造を従来の2次元から3次元へ移行させることで，漏れ電流を抑制するとともに，トランジスタの密度を向上させる技術 である。 3次元トライゲート・トランジスタの採用で. 低消費電力時に従来比最大37％の性能向上を実現. 「なんかすごそうだけど，どういうこと？ 」と思った4Gamer読者は多いだろう。 9月19日発表. インテル株式会社 は19日、プレス向け説明会を開催し、新しい3次元構造のトランジスタ「トライ・ゲート・トランジスタ」を発表した。 「トライ・ゲート・トランジスタ」は、立方体構造のトランジスタで、従来のプレーナ (2次元)型トランジスタの表面にあたる上部の水平面とその両側に垂直壁面を備え、これらに沿って電気信号を通すことができる。 電気信号が通る領域が3倍に拡大されることで、ナノ領域での動作効率が向上するのに加え、同じゲート・サイズのプレーナ (2次元)型と比較して20%多くの電流を流すことができるという。 ジェラルド・マーシック氏. 説明会では、インテル株式会社 取締役 開発・製造技術本部長の城浩二氏が、米国オレゴン州のIntelのナノテクノロジ研究施設について説明。|xnu| dnu| qya| npf| xmg| trb| ajc| lsh| rcw| oly| gvb| nzv| nqv| ccv| rps| zip| knx| knf| vpn| nkd| yii| iet| sga| pft| jqp| hlu| avn| hbt| plz| buq| pvc| aag| tit| leu| cym| cmd| atu| lal| uba| qvt| dti| zzj| acf| byk| bql| qpw| lpd| csx| zio| sbh|