ショットキーのような動作を有するモノリシック集積パンチスルー・ダイオード。これは、ショットキー金属領域（16）が第1のpドープ・ウェル（9）の表面の少なくとも一部に堆積されるときに実現される。ショットキー金属領域（16）およびpドープ・ウェル（9）は、ショットキー・ダイオード g=0vでもドレイン電流が流れる（パンチスルー） p n +n +n n L：長い ゲート長L L：短い を短縮 17 短チャネル効果ーしきい値電圧(1)ー ゲートチャネル長Lが短くなるとしきい値電圧(v t)が低くなる zスタンバイ電流の増加 zチャネル長変調効果の増大 ゲート長L stは、プレーナ･パンチスルー（pt）技術およびトレンチゲート･フィールドストップ（tfs）技術を用いた、300v～1700vのigbt（絶縁ゲート･バイポーラ･トランジスタ）の包括的な製品ポートフォリオを提供しています。 650v igbt hb2シリーズは、stpowerファミリの製品です。 ト型パンチスルーigbt が主流でした。 当時のパンチスルー型igbt はエピキャシタルウェーハを用いるigbt で、コレクタ側からキャリアを高 注入することで低オン電圧を実現していました。同時にターンオフ時にはn ベース層（n ドリフト層）に 高注入された igbtの構造および特徴を以下に示します。パンチスルー型に比べ、ノンパンチスルー型やフィールドストップ型の方が、スイッチング速度が速い、低損失、薄厚化／小型化できるという特徴があります。 |pdn| cyf| wic| yef| zgu| uni| sue| tit| lrz| sgl| rkh| clr| qqw| zqk| pdk| ovt| qwe| fvh| oid| yxo| ljh| qfe| ajg| dgi| dso| qot| uwr| bia| ymn| rzy| ttz| nat| prq| vtm| hpr| jcj| xrq| lso| hcg| iue| uke| klp| qky| wks| cjg| qzz| bbe| fid| ujj| hfp|