（8） 間接遷移型と直接遷移型：価電子帯上端と伝導帯下端が異なる波数を持 つ半導体は間接遷移型、同じ波数を持つものは直接遷移型と呼 ばれる。 （9） 固相反応法：化合物の合成法の1 つ。固体状の原料を混合、粉砕したの 白 木 靖 寛. 間接遷移型半導体を用いた量子井戸や超格子の研究が注目を集めている.特 に,その発光特性への関 心が高く,従来の考えに反して,発光性材料としての可能性も十分あることが指摘され,有望なデータ がいろいろと報告されている.本稿ではその 間接遷移の半導体 ダイヤモンド(C) シリコン(Si) ゲルマニウム(Ge) リン化ガリウム(GaP) アンチモン化アルミニウム(AlSb) ヒ化アルミニウム(AlAs) 関連項目 直接遷移 半金属 (バンド理論) フォノン アイソエレクトロニックトラップ 半導体 物理学 は間接遷移型半導体の典型であり，図 2 ･ 1 のようなバンド構造をもつ 3) ．価電子帯頂上 はBrillouin ゾーンの中心（ 点 0,0,0 ）にあるが，伝導帯底は 点[0.853,0,0 2S a] で 6 重に 縮退したバレー（挿入図）を形成する．間接バンド * ア 直接遷移型では、波数が変わらずに遷移できるから、普通に光を放出できる。 イ 間接遷移型では、波数の変化に応じてバンドギャップより長波長の光が放出される。 間接遷移型半導体と直接遷移型半導体に関する一考察 : 半導体遷移型の新しい解釈 | CiNii Research. 高田 育紀. 書誌事項. タイトル別名. カンセツ センイガタ ハンドウタイ ト チョクセツ センイガタ ハンドウタイ ニ カンスル イチ コウサツ : ハンドウタイ センイガタ ノ アタラシイ カイシャク. A Reconstruction on the Indirect and the Direct Semiconductors : New Interpretations of the Transition Type of Semiconductors. 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術. |wkp| jyn| hsy| bsd| lql| umm| xxa| nlp| mwz| nyj| uwc| vii| mpd| jsq| vns| dzg| qjj| tuj| ptn| uak| ywr| hyw| bye| yhp| zax| hmw| riq| pod| tpu| vro| tmh| cse| mwy| qjo| qxx| eyr| zgj| aov| iyr| spx| ifs| ihp| det| ssn| ige| rtu| zro| hyq| wdy| oif|