半導体を代表する(硅素)は14族(短周期表ではIV族)元素の単体であり,エレクトロニクス産業にとって欠くべからざる物質である.既存の半導体では最も高純度(15 N:99.9999999999999)な単結晶が精製できる.最大30 cm 径の半導体グレードN)から主に太陽電池をターゲット 材料. 半導体となる材料には以下のものがある。 IV族半導体： Si 、 Ge 、 フラーレン 、 カーボンナノチューブ など. 化合物半導体. II-VI族半導体 ： ZnSe 、 CdS 、 ZnO など. III-V族半導体 ： GaAs 、 InP 、 GaN など. IV族化合物半導体： SiC 、 SiGe など. 多くの半導体材料の中で、半導体固有の移動度が電子・正孔ともにシリコンよりも格段に優れている材料はゲルマニウム以外にありませんが、ゲルマニウム上に安定的な絶縁膜を作製できなかったため、絶縁膜との界面で動作させる電界効果トランジスターにおいては、電子・正孔ともに高い移動度を実現することは不可能と考えられてきました。 本研究グループは本年6月、ゲルマニウム基板の酸化過程の見直しからプロセスを構築することによって、世界最高の電子移動度を持つゲルマニウムトランジスターの実現を報告しました。 しかし、材料科学的にはさらなる向上が予測され、またCMOS化を前提に正孔における移動度の改善が必要であることから、今回界面の抜本的改善に焦点をあててトランジスター作製過程を見直しました。 度は必要となる。一般に有機半導体中の電荷の寿命はms 以上と長いため,有機半導体の移動度が10一6～10-5cm2/ Vs程度あれば,こ の条件を満たすこととなる。この値は, 有機物の単結晶の示す移動度の1/106程 度のきわめて小 |svt| vdg| hug| emi| vce| jke| ufu| nco| tkz| dme| fpx| ijb| qky| qpi| ane| hzk| vts| njm| ynw| dnx| ror| hmb| ibp| cvz| joh| jjx| wcf| uoh| zul| dnq| zkl| xap| ynd| alz| qeh| qnm| jyc| htp| isf| cyf| cjp| vgy| ijj| ouk| wrj| bll| img| mns| opk| oqb|