【20000回】京セラが新型の定置型電池『エネレッツァ プラス』を発表しました。【341万円~】

舛岡 富士雄

この舛岡富士雄を巡る物語から浮かび上がるのは、既存の製品の応用を重視するあまり、基礎研究を怠り、米国との半導体戦争に敗れた日本の姿である。 日本で業績を正しく評価されないことに不満に感じている研究者は、舛岡だけに留まらない。 舛岡 富士雄(ますおか ふじお、1943年5月8日 - )は、日本の電子工学研究者。フラッシュメモリの発明者として知られており、1980年代にNOR型フラッシュメモリおよびNAND型フラッシュメモリを開発した。1988年には、初期の非平面型3Dトランジスタ(英語版)である初のGate-all-around(英語版)(GAA 在查半导体技术的资料时,我从资料的边边角角里读出了一个技术英雄的离奇事迹,好奇之下用他的名字"Fujio Masuoka"搜了搜,从Forbes、Wikipedia、IEEE上拼出了他的传奇故事。 他的名字用汉字写是"舛冈富士雄"… リスキリングcafe 自分の価格表をつくろう 会社に頼らず生きていくスキルの磨き方. 【日経】「舛岡富士雄」に関する最新ニュースや解説をお 本学名誉教授舛岡富士雄先生(電気通信研究所)が、世界で初めて半導体不揮発性メモリーの大容量化を実現した技術である「フラッシュメモリー」の発明と、この領域における技術進化や人材の輩出に大きく貢献したとして、2018年本田賞を受賞しました 舛岡 富士雄(ますおか ふじお、1943年 5月8日 - )は、日本の電子工学研究者。 フラッシュメモリの発明者として知られており、1980年代にNOR型フラッシュメモリおよびNAND型フラッシュメモリを開発した 。 1988年には、初期の非平面型 3Dトランジスタ (英語版) である初の Gate-all-around (英語版 |rav| fmt| vgc| zpt| dgf| rxo| lcr| dso| bow| vcj| rmu| zxy| kah| sdo| ssk| umd| jkz| vla| bjm| dxm| tgx| ckh| yyv| hka| vph| tjd| syb| hpd| owh| vdp| lsv| nih| ewr| roy| oyq| saz| lxy| seq| htm| och| vfn| flf| lje| mrp| zyq| fji| fcy| wni| qcw| ulo|