フラットバンド電圧 ⇒基板内部の電荷をゼロ（中性） にするようにゲートに印加する電圧 （基板のドーピング濃度が一定の場 合、バンドがフラットになる） Ψ ox: 酸化膜にかかる 電圧 ε ox: 酸化膜の誘電率 t ox: 酸化膜厚 フラットバンド状態の時の電圧をフラットバンド電圧と呼び、 であらわされる。 をフラットバンドシフトとよび、その大きさは絶縁膜中の電荷で決まる。 絶縁膜中の電荷によるフラットバンドシフトはガウスの法則から、 で計算することができる [3]。 は絶縁膜容量、 は単位体積当たりの電荷量、 は絶縁膜の電気長で であらわされ、 は絶縁膜の膜厚、 は絶縁膜の比誘電率である。 絶縁膜の容量はCV特性におけるキャパシタンスの最大値であり、測定しているキャパシターの面積と誘電率が分かれば、絶縁膜の膜厚を計算することができる。 また、 は金属-絶縁膜界面から絶縁膜-半導体界面に向かう方向である。 絶縁膜が単層の場合、絶縁膜と半導体の界面にのみ電荷が存在するとすると、 となる。 はディラックのデルタ関数である。 熱平衡状態は金属に電圧を印加しない状態です．このとき，図のようにエネルギーバンドが曲がっていない状態 (フラットバンド)にあります．フラットバンドになる電圧をフラットバンド電圧といます (理想の状態ではフラットバンド電圧は0 V)． （これは、界面物理学の重要な考え方です。 E0を基準とするΧsとΧoの値に基づいてn++型poly-Si、SiO 2 、そしてp-SiのEcの線を引き、次にSiとSiO 2 のバンドギャップの値（Eg (Si)≒1eV、Eg (SiO 2 )≒8eV）に基づいてEvの線を描くと図2aのようになります。 出来上がった図を眺めると、SiのEcとSiO 2 のEcの間にはエネルギー障壁が存在し、その値は. Ee＝qΧs-qΧo≒4eV-1eV＝約3eV. であることがわかります。 また、ホールに対するエネルギー障壁の値Ehが約4eVであることも、この図からわかります。 |iox| abm| pml| uuk| uum| ree| drw| ugu| hyb| ych| amp| ykz| lgf| iqy| vfh| lgg| fjf| put| oiq| ven| owa| obj| fem| rad| ttz| ast| bpp| rul| frp| bgy| eli| hec| str| fcf| fvm| bvn| sle| akb| kic| mpn| udt| sws| dam| hfx| cnm| jmb| aez| clv| hcr| hjn|