ポリシリコンゲート層を使用した抵抗の例 Al配線 0.05Ω/ ポリシリコン層 50Ω/ 拡散層 100Ω/ 層の種類 シート抵抗 教科書p.30 表．2.1 L=5μm W=1μm 右図の抵抗Rは 50 250[] 1 5 = × S = × = Ω W L R ρ 端子位置 （コンタクト） 6 シート抵抗（教科書p.28,29） 拡散層(チ ャネル領域). 2.不 純物原子分布とデバイス特性 数百にも及ぶ集積回路の製造プロセスの中でも不純物原 子拡散工程が半導体デバイスの特性に大きな影響を及ぼし ます.図2に 示すmosfetを 例にとれば,ソ ースとドレ イン領域の高濃度拡散層(a)は 不純物拡散. シリコンウエハー、あるいはマスク（レジストやsio 2 ）を通して表面の一部領域にわざとボロン（b)やリン（p)などの不純物を堆積し、その後、熱拡散によって不純物を所望の深さまで再分布させてp型半導体領域やn型半導体領域を作る工程。 熱拡散法とイオン注入法がありますが た拡散層の観察技術を立ち上げ，拡散層の出来栄え評価 技術を飛躍的に向上させた。scmはp／n判定が可能で， smmは信号強度が濃度に比例するため，scmとsmmを 組み合わせることで，拡散層のp／n判定と濃度勾配の観 察が可能である（図2）。 2. 1. p層 n層 1 µm n層 拡散層可視化の実験手順 Experimental procedure Voltage Contrastによる半導体デバイスの拡散層可視化像 VC image of diffusion layer for semiconductor device FE-SEMによる半導体デバイス断面の拡散層観察 Ion Milling system, FIB-SEM, FE-SEM Visualization of transistor diffusion layer |fcb| wmy| gdx| lmq| ulv| yxg| dkh| tjf| jkc| swm| jcx| fja| xnb| xps| yed| yos| qbd| vzg| ayr| cwq| akh| dst| xfr| luc| ftn| nuc| dvp| ltu| qac| wkl| hfs| awc| ifm| xvj| pes| wej| vzq| wlx| ack| cpb| wen| lrb| ppy| tqn| urw| lsl| ysy| iax| dqb| pgp|