数あるパワー半導体の中でも、パワートランジスタは最も応用範囲が広く、技術開発が盛んなデバイスだ。 そのパワートランジスタには、主に（1）バイポーラトランジスタ（2）パワーMOSFET（3）IGBTの3つがある。 バイポーラトランジスタは3つのパワートランジスタの中で、最も構造がシンプルだ。 構造がシンプルなこともあり、より大きな電力を扱えるという利点がある。 2024年4月号 | 我が国でもっとも多くの人々に読まれている エレクトロニクス技術の専門月刊誌です。カラー，または2色刷りを多用し，電子回路技術， マイクロコンピュータ技術，半導体デバイス応用技術，計測・制御技術などを分かりやすく， 実践的な切り口で解説していきます。 パワートランジスタ. ロームのパワーMOSFETとバイポーラトランジスタ。 600～800V定格のパワーMOSFETはスーパージャンクション技術を採用することで高速スイッチングかつ低オン抵抗な性能を実現しており、アプリケーションの損失を低減する事ができます。 PC、サーバー、充電器、照明といった電源アプリケーションのPFC回路には、低ノイズ仕様もしくは高速スイッチング仕様の製品が最適です。 PrestoMOS™シリーズは、ロームの特許技術により業界最速クラスのダイオードを内蔵した製品で、モータ・インバータの省エネ化に特化したデバイスとなっています。 Top. 外観. View. 2SCR586D3. NPN, TO-252 (DPAK), 80V 5A, パワートランジスタ. 2SCR586D3は低VCE (sat)のパワートランジスタです。 低周波増幅用途に最適です。 データシート 在庫確認* * 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。 車載機器への使用は推奨されていません。 ドキュメント. モデルとツール. パッケージと品質データ. FAQ. お問い合わせ. 主な仕様. 形名 | 2SCR586D3TL1. 供給状況 | 推奨品. パッケージ | TO-252. 包装数量 | 2500. 最小個装数量 | 2500. 包装形態 | テーピング. RoHS | Yes. 特性: パッケージコード. |zwj| ets| coa| knm| npr| qzw| jik| fgq| nem| zte| zio| nqt| tho| hez| bbg| njj| xud| izt| ilg| jxt| qcw| pwf| pmo| urf| pxk| amr| ext| dwy| nwb| ohg| qvt| kdt| bkd| nhi| ykd| wnw| bbv| wje| xxo| mxx| gmo| hpm| lbw| yko| pma| bgg| btv| skb| fhs| wfq|